MOS 管实际可用Current（结温反推）
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给定 R_DS(on)、Temperature系数、允许结温andSurroundings热阻，反推这颗 MOS 管在本机Cooling condition下能连续过多大Current。R_DS(on) 随结温literHigh而变大，本工具做自洽迭代，并给出指定工作Current下的Junction marginand所需热阻。
Key points
MOS 管的连续Current极限由结温决定：Tj = Ta + P·θJA，而 P = I²·R_DS(on)(Tj)，R_DS(on) 随Temperature上liter≈ 0.4~0.8 %/℃。
Inputs
Imax = √[(Tj,max − Ta − P_other·θJA) / (θJA·R_DS(on)(Tj,max))] ｜ R_DS(on)(Tj) = R25·[1 + α(Tj − 25)]Calculation model (updates with parameters)
| 单颗 R_DS(on) @Tj,max | 8.125 mΩ | 5.00 mΩ × [1 + α×(150 − 25)] |
| 单颗最大连续Current | 19.61 A | Tj 顶到 150 ℃ 的Current，未留余量 |
| 总Current | 19.6 A | and单颗相同 |
| 此时单颗总dissipation | 3.125 W | 导通 3.125 W + 其它 0.00 W（= 热预算 3.125 W） |
| 其它损耗占比 | 0 % | 占单颗热预算的比例；>30% 时Switch损耗已成主项 |
| 工作Current 10.0 A → 单颗Current | 10.00 A | 总Current ÷ 1 颗 |
| 工作点Junction temperature Tj | 47 ℃ | Ta 25 ℃ + P×θJA 40.0 ℃/W |
| Junction margin | +103 ℃ | pass |
| 若坚持该Current，θJA 需 ≤ | 225.0 ℃/W | 超过就要加铜箔Area / 散热片 / 风冷 |
| 工作Current / 最大Current | 51 % | 100% = 结温刚好顶到upper limit |
Engineering notes
- I_D standard values（常标 T_C = 25 ℃）是封装/键合线的极限，真正的连续Current由结温and热阻决定，通常只有standard values的 1/3 左右。
- θJA and PCB 铜箔Area极相关：同一颗 TO-252，铜箔给足可到 40 ℃/W，只焊一小块焊盘能到 100 ℃/W or more。
- R_DS(on) 是正Temperature系数：手册的 25 ℃ Value最乐观，100 ℃ ≈ 1.4~1.6 ×，150 ℃ 接近 2 ×——本工具已按 α 折算。
- Switch损耗记得填进「其它损耗」：High压High频时它常超过导通损耗，只算导通会明显High估可用Current。
- 本工具只算连续直流（导通），脉冲工况要查Data手册的 SOA 曲线and瞬态热阻 Z_th。
FAQ
- What is MOS 管实际可用Current（结温反推） for?
- 给定 R_DS(on)、Temperature系数、允许结温andSurroundings热阻，反推这颗 MOS 管在本机Cooling condition下能连续过多大Current。R_DS(on) 随结温literHigh而变大，本工具做自洽迭代，并给出指定工作Current下的Junction marginand所需热阻。
- What is the formula for MOS 管实际可用Current（结温反推）?
- Core formula: Imax = √[(Tj,max − Ta − P_other·θJA) / (θJA·R_DS(on)(Tj,max))] ｜ R_DS(on)(Tj) = R25·[1 + α(Tj − 25)]. The tool returns results instantly using this formula and the selected parameters.
- What engineering notes should I keep in mind when using MOS 管实际可用Current（结温反推）?
- I_D standard values（常标 T_C = 25 ℃）是封装/键合线的极限，真正的连续Current由结温and热阻决定，通常只有standard values的 1/3 左右。 θJA and PCB 铜箔Area极相关：同一颗 TO-252，铜箔给足可到 40 ℃/W，只焊一小块焊盘能到 100 ℃/W or more。 R_DS(on) 是正Temperature系数：手册的 25 ℃ Value最乐观，100 ℃ ≈ 1.4~1.6 ×，150 ℃ 接近 2 ×——本工具已按 α 折算。 Switch损耗记得填进「其它损耗」：High压High频时它常超过导通损耗，只算导通会明显High估可用Current。 本工具只算连续直流（导通），脉冲工况要查Data手册的 SOA 曲线and瞬态热阻 Z_th。
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