RC 吸收电路设计
MOS / 继电器触点开关节点的振铃阻尼吸收：双频法反解杂散参数，给出 R、C 取值、损耗与阻抗波特图。
参数输入
f_ring = 1/(2π√(LC)) ｜ R = √(L/C) ｜ Cs = 2~3Cp ｜ P = Cs·ΔV²·fsw计算模型示意（随参数联动）
波特图（幅频 / 相频，随参数联动）
| 振铃频率 f_ring | 15.92 MHz | f_ring = 1/(2π√(LC)) |
| 杂散电容 Cp | 1 nF | 输入值 |
| 杂散电感 L | 100 nH | 输入值 |
| 特征阻抗 Z₀ = √(L/C) | 10 Ω | 阻尼电阻设计基准 |
| 推荐吸收电阻 R | 10 Ω | R ≈ Z₀；0.5~1×Z₀ 内试凑，阻尼更强取小 |
| 推荐吸收电容 Cs | 2 nF ~ 3 nF | 2~3×Cp 起步（按 2.5×Cp 画图）；损耗敏感时向下减 |
| 吸收支路转折频率 | 6.366 MHz | 1/(2πR·Cs)，应明显低于 f_ring 才起吸收 |
| 吸收电阻功耗 | 1.625 W | P = Cs·ΔV²·fsw；封装按 ≥2 倍裕量选 |
⚠ 吸收电阻功耗 1.625 W 偏高：选 1206 及以上封装并留 2 倍裕量。
工程备注
- 双频法步骤：① 测开关节点振铃 f₁；② 并联已知小电容 Cadd 再测 f₂；③ 填入反解 Lp / Cp——比凭经验估杂散参数可靠。
- 继电器 / 晶闸管触点同样适用（常以 100Ω + 100nF 起步），触点场合 R 串联在 C 前防合闸涌流。
- RCD 钳位（本组另一工具）对付反激漏感尖峰，RC 吸收对付振铃阻尼与 dv/dt，二者可并存。